ICT测试原理
ict原理介绍：
一.隔离( guarding )原理
隔离为ict量测很重要的一种应用技术，乃是将待测零件相连接的零件给予隔离，使待测零件的量测不受影响，如下图所示，应用运算放大器设计之电压随耦器，使输出电压( vg )与其输入电压( va )相等，及运算放大器之两输入端间虚地( virtual ground )的原理，使得与待测零件相连的零件之两端同电位，而不会产生分流来影响待测零件的量测，如同是已将将待测零件相连接的零件给予隔离。
经由隔离之实施后，流经r1的电流几近零，不致影响r之量测。
由于vg=va，因此i3=0
所以r1=v/i1
隔离( guarding )基本原理图
定电流测量法
如下图所示，为被使用测量大电阻的测量法，乃是应用欧姆定律( ohm’s law )：r = v / i，提供定电流源至待测电阻，再由其两端所量测之电压值，来计算待测电阻之阻值。
定电流/电压测量法
如下图所示，为常被使用之电阻的测量法，乃是应用反相放大器( inverting amplifier )原理：vo = -vi * rf / r，计算出待测电阻rdut= -vi * rf / vi。
二.电容器的测试原理
如上图所示应用运算放大器( opa )之反相放大原理：vo = -v * r / xc，其中xc =1/ ( 2pfc )乃电容所产生的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速度『w= 2pf』来代表，则可由公式：c＝-vo / ( v *w* r )，来计算出电容之值
定电流测量( mode c )
当电容值为10uf以上时，计算机会自动设定dc电容量测法。此法是用dc定电流来使待测电容充电，然后由充电的时间可算出电容值
如上图所示由于在充电电压与其充电时间成线性关系，故可由其斜率，来计算出待测电容之值。
三.电感器的测试原理
如上图所示应用运算放大器 ( opa )之反相放大原理：vo = -v * r / xl，其中xl = ( 2pfl )乃电感所产生的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速度『w = 2pf』来代表，则可由公式：l ＝- v * r / (w * v0 )，来计算出电感之值。四.普通二极管的测试方法(mode d)二极管采用如下图所示之顺向电压测量法，来辨别二极管的好坏，正常的硅( silicon )二极管之顺向电压约为0.7v，而锗( germanium )二极管之顺向电压约为0.3v。
五.晶体管的测量原理(三端点) ( mode tr )晶体管的测量方法如下图从晶体管的基极( base )送脉波电压，由于晶体管工作于饱和状态( saturation status )时集极与射极之间所测量的电压( vce )会小于0.2v以下，因此可藉之来辨别晶体管的好坏。
六.短/开路的测试原理 (open/short test)
学习短路表( learning short pin group table )短／开路(open/short )的测试数据可由学习一个良品的电路板而得。当学习时，计算机会测量任意两个测试点( test point )之间的阻值，然后产生一个短路表( short pin group table )，学习时，任意两点间的阻值小于20ω(初使值)即被判定两点间为短路，否则为开路。
短/开路测试
短／开路测试是根据上述短路表的资料来做测试；先做短路测试( short test )再做断路测试( open test )，说明如下：
开路测试是测试在同一短路群( short pin group )里的每一测试点间( test point )是否有断路现象，判别开路的基准阻值是80ω(初使值)；也就是说任意二点间的阻值如果大于80ω(初使值)，则被判定为开路错误( open fail )。
短路测试是测试任意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间，是否有短路现象，判别短路的基准是5ω(初使值)；也就是说，如果任意两点间的阻值是小于5ω(初使值)，则被判定为短路错误( short fail )。
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经由隔离之实施后，流经r1的电流几近零，不致影响r之量测。
由于vg=va，因此i3=0
所以r1=v/i1
隔离( guarding )基本原理图
定电流测量法
如下图所示，为被使用测量大电阻的测量法，乃是应用欧姆定律( ohm’s law )：r = v / i，提供定电流源至待测电阻，再由其两端所量测之电压值，来计算待测电阻之阻值。
定电流/电压测量法
如下图所示，为常被使用之电阻的测量法，乃是应用反相放大器( inverting amplifier )原理：vo = -vi * rf / r，计算出待测电阻rdut= -vi * rf / vi。
二.电容器的测试原理
如上图所示应用运算放大器( opa )之反相放大原理：vo = -v * r / xc，其中xc =1/ ( 2pfc )乃电容所产生的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速度『w= 2pf』来代表，则可由公式：c＝-vo / ( v *w* r )，来计算出电容之值
定电流测量( mode c )
当电容值为10uf以上时，计算机会自动设定dc电容量测法。此法是用dc定电流来使待测电容充电，然后由充电的时间可算出电容值
如上图所示由于在充电电压与其充电时间成线性关系，故可由其斜率，来计算出待测电容之值。
三.电感器的测试原理
如上图所示应用运算放大器 ( opa )之反相放大原理：vo = -v * r / xl，其中xl = ( 2pfl )乃电感所产生的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速度『w = 2pf』来代表，则可由公式：l ＝- v * r / (w * v0 )，来计算出电感之值。四.普通二极管的测试方法(mode d)二极管采用如下图所示之顺向电压测量法，来辨别二极管的好坏，正常的硅( silicon )二极管之顺向电压约为0.7v，而锗( germanium )二极管之顺向电压约为0.3v。
五.晶体管的测量原理(三端点) ( mode tr )晶体管的测量方法如下图从晶体管的基极( base )送脉波电压，由于晶体管工作于饱和状态( saturation status )时集极与射极之间所测量的电压( vce )会小于0.2v以下，因此可藉之来辨别晶体管的好坏。
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开路测试是测试在同一短路群( short pin group )里的每一测试点间( test point )是否有断路现象，判别开路的基准阻值是80ω(初使值)；也就是说任意二点间的阻值如果大于80ω(初使值)，则被判定为开路错误( open fail )。
短路测试是测试任意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间，是否有短路现象，判别短路的基准是5ω(初使值)；也就是说，如果任意两点间的阻值是小于5ω(初使值)，则被判定为短路错误( short fail )。
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