韩国成功开发下一代纳米半导体图像传感器
韩国科学技术研究院发布消息称，该院联合延世大学利用二维二硒化钨纳米单芯片和一维氧化锌氧化物半导体纳米线的混合维空间双层结构，开发了可以感知从紫外线到近红外线光的光电二极管器件。该研究结果发表在学术杂志《*功能材料》(advanced functional materials)上。
低维空间纳米半导体元件在下一代半导体中有广泛应用前景，是研发重点领域。研究组使用的二维元件具有光回应性能强、洞迁移率高的特性，是p型半导体元件。一维氧化锌纳米线是目前好的一维纳米半导体之一，具有电子迁移率高的特性，有望应用于高性能电子元件n型半导体元件。将一维二维混合后形成了混合维空间双层结构(pn型)，研制出光电二极管元件。
研究组表示，该研究成功实现了二维图像，今后有望广泛应用于新一代图像传感器元件。
编辑点评
近年来，随着科技发展进步，国内外科学研究领域取得了丰富的研究硕果。韩国科学技术研究院利用二维二硒化钨纳米单芯片和一维氧化锌氧化物半导体纳米线的混合维空间双层结构，成功开发出可以感知从紫外线到近红外线光的光电二极管器件，实现了二维图像，将得到广泛应用。
(原标题：韩国开发出下一代纳米半导体图像传感器)
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