真空泵都能应用在哪些方向？
通常，在选择真空泵时，通常根据实际工况所需的真空度选择真空泵的类型，并根据抽气量选择真空泵的抽速。 当然，还有其他因素会影响真空泵的应用。 例如，在真空电子技术领域中，应考虑过程环境的清洁度，实际过程以及泵中反应气体和反应产物的颗粒。
在一般过程中的应用：
（1）氮气清洁氮气清洁的目的是稀释真空泵内部的反应气体； 为泵的轴提供密封； 防止真空泵排气
口腔会渗透空气和湿气。 n：可以根据需要调节清洁气体的量。
（2）配备有冷阱冷阱通常安装在真空泵的进排气口。 目的是减少渗入泵中的反应产物的量，减轻真空泵的负担，并减轻废气处理的负担。
（3）温度控制根据工艺过程中不同的反应产物，为防止其粘附在泵，无油机械真空的排气口
上泵的加热或温度控制。
（4）在线清洗在通过lpcvd方法制备氯化膜的过程中，会产生副产物。 氯化压机（nh4c1）可以溶解
水。 利用此功能，单级立式无油机械真空泵可以在线自动清洗，无需将泵从生产线中移开即可使用清洗液进行清洗。
cvi]在过程中的应用
当使用lpcvd工艺制备绝缘膜或半导体膜时，有机硅烷系统（teos）原料处于液态，并且teos与
副产物混合形成凝胶并堵塞真空泵的排气口。 此时，应在排气口加一个冷阱。
当使用pecvd工艺制备绝缘膜时，teos的反应副产物以白色粉末形式通过真空泵，因此不接触
接触式真空泵。 清洁气体使用nf3，qf61c1f3等与上述反应副产物结合，然后形成另一种副产物。
有不好的效果。 此时，可以通过降低真空泵的温度来解决。
在干法蚀刻工艺中的应用
蚀刻过程可分为铝金属蚀刻，多晶硅蚀刻，氧化膜蚀刻等。金属蚀刻会产生大量反应
副产品，深圳真空泵的负荷将很大[71。
使用c fan，hbr，sf6等气体蚀刻多晶硅膜，氧化硅膜等，反应副产物更少，升华温度更低。
气态形式从泵中排出。 为了蚀刻铝金属，使用了诸如三氯化硼之类的氯化气体，它将产生大量的四氯化铝。 升华温度
高，很容易粘附在低温零件上，并且大多数未反应的气体具有很高的腐蚀性。 氟经常在下巴的蚀刻中使用
化学系统气体的特性与氯化系统气体相似。
千蚀刻生产通常使用强腐蚀性气体，例如氟，氯和tri化物。 这些气体与水结合成强酸，具有强腐蚀性。 因此，要求泵和管道材料具有高耐腐蚀性。
上海振畅机电科技有限公司
地址：宝山区月罗公路2120号
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