TE新SESD器件可应对复杂ESD和浪涌保护挑战
te新sesd器件可应对复杂esd和浪涌保护挑战 设计工程师充分了解在应付由charged board event (cbe) 所造成的较严重损坏时，提供符合iec 61000-4-2标准的静电放电 (esd)保护功能可能并不足够。这些的浪涌事件具有高峰值电流和快速上升时间特性，可能损坏智能手机、平板电脑、汽车信息娱乐设备和其它敏感的电子产品的i/o端口。认识到这一事实，te connectivity旗下的电路保护业务部门推出了全新的硅esd (sesd)系列器件， 这些器件的空气放电额定值为±20kv 和±22kv，远远高于iec 8kv 接触放电和15kv空气放电标准要求，可以帮助设计人员解决由cbe事件引起的普遍电路保护难题。te电路保护部产品经理nicole palma表示：“在与设计工程师一起工作时，我们发现iec的esd保护标准没有真正解决可能导致产品故障的cbe问题。针对这一挑战，我们提升了现有的小型低电容sesd器件产品线，提供20kv及更高的浪涌保护能力。这种更强大的保护能力可以帮助制造商提高产品可靠性，限度地减少现场返修(field return)，而这正是竞争异常激烈的计算机、移动、消费和汽车市场的关键设计考虑。”
此新一代sesd产品同时具有单向和双向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及标准直通(flow-through)封装。除了提供20kv接触放电性能，这些器件的浪涌保护能力(4通道阵列为2.2a，1和2通道器件为2.5a)有助于提供更稳健的性能。
sesd器件的典型输入电容在高频谱下为0.15pf (双向)和0.30pf (单向)，能帮助满足hdmi、esata和其它高速信号要求。它们的低钳位电压 (<15v) 有助于达到快速启动时间和限度地减少能量通泄 (energy let-through)。此外，sesd器件具有极低的泄漏电流(50na)，帮助在必须节约能源的应用中降低功耗。
型号：
单通道：
· sesd0201x1un-0030-088 – 单向; 0201尺寸;0.30pf (典型) 输入cp;8.8v (典型) vbr
· sesd0201x1bn-0015-096 – 双向; 0201尺寸;0.15pf (典型) 输入cp, 9.6v (典型) vbr
· sesd0402x1un-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pf (典型) 输入cp, 8.8v (典型) vbr
· sesd0402x1bn-0015-096 –双向; 0402尺寸;0.15pf (典型) 输入cp, 9.6v (典型) vbr
多通道：
· sesd0402q2ug-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pf (典型) 输入cp, 8.8v (典型) vbr
· sesd1004q4ug-0030-088 – 单向; 1004尺寸;0.30pf (典型) 输入cp, 8.8v (典型) vbr
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型号：
单通道：
· sesd0201x1un-0030-088 – 单向; 0201尺寸;0.30pf (典型) 输入cp;8.8v (典型) vbr
· sesd0201x1bn-0015-096 – 双向; 0201尺寸;0.15pf (典型) 输入cp, 9.6v (典型) vbr
· sesd0402x1un-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pf (典型) 输入cp, 8.8v (典型) vbr
· sesd0402x1bn-0015-096 –双向; 0402尺寸;0.15pf (典型) 输入cp, 9.6v (典型) vbr
多通道：
· sesd0402q2ug-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pf (典型) 输入cp, 8.8v (典型) vbr
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