电阻测量的定义-napson手持式电阻测量仪EC-80P
通常，电阻（电阻）用于评估物质或材料的电导率（导电性）。我认为下面的ω（ohm）是电阻的评估标准（许多人在“欧姆定律”中都记得它）。
电阻_（电阻）=ω[读数：欧姆]→表示电流难易度的单位
r = v / i * v =电压，i =电流
由数字万用表（绝缘电阻表）测量的绝缘电阻也通常以ω单位表示。
电阻单位还根据物质或材料的形状而适当地使用，并且根据测量目标而主要使用，因为存在针对每个行业的工业标准（例如，jis）的电阻单位。关于电阻的表示法是不同的。
除了电阻[ω]，我们的电阻测量系统还支持以下两种类型的电阻测量单位：电阻[ωcm]和薄层电阻[ω/□]。
电阻=ωcm[读数：欧姆厘米]*也称为比电阻。
→物质的“体积电阻值”
它主要用于表示较厚物体的电阻，例如硅片，大块以及导电橡胶和塑料。
电阻：r的值由以下等式表示，其中ρ是电阻，l是导体的长度，a是导体的截面积。
r =ρ×[l / a]
因此，电阻值ρ由下式表示。
ρ= v / i×[a / l]
*单位为ωcm时，值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据测量目标的不同，它可能以ωm（欧姆表）表示。
薄层电阻=ω/□[读数：欧姆标准平方]*也称为比电阻。
→物质的“表面电阻值”
它主要用于表示片状材料（例如薄膜和膜状材料）的电阻。
一般而言，当表示三维电导率时，电阻由下式表示。
r =ρ×l / a ＝ l / w×ρs
假设样品的长度：l和宽度：w是均匀的，则电阻：r和薄层电阻：ρs相等。
薄层电阻：ρs也可以表示为通过将电阻：ρ除以厚度：t得到的值。
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
只需触摸手持式探头即可测量电阻。
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用jog拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的可替换电阻测量探头可支持多种电阻
（电阻探头：多可以使用2 + pn判断探头）
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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r =ρ×[l / a]
因此，电阻值ρ由下式表示。
ρ= v / i×[a / l]
*单位为ωcm时，值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据测量目标的不同，它可能以ωm（欧姆表）表示。
薄层电阻=ω/□[读数：欧姆标准平方]*也称为比电阻。
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一般而言，当表示三维电导率时，电阻由下式表示。
r =ρ×l / a ＝ l / w×ρs
假设样品的长度：l和宽度：w是均匀的，则电阻：r和薄层电阻：ρs相等。
薄层电阻：ρs也可以表示为通过将电阻：ρ除以厚度：t得到的值。
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其他（*请与我们联系）
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测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
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