少子寿命测试仪脉冲功率30W
数字式硅晶体载流子复合寿命测试仪
型号：kdklt-200
100c型200型的的，区别只是红外激光管的功率大了一倍，加了个红外地光照破除陷进效应τ:1～6000μs ρ＞0.1ω·cm太阳能，硅片寿命，配已知寿命样片、配数字示波器，本设备是按照，标准gb/t1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次，十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟，的测试方法，适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样简便。产品特点：可测量太阳能，多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面%抛光，直接对切割面或研磨面进行测量，仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。可测量太阳能，单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面%抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子寿命值，同时在线显示光电导衰退波形。配置的红外光源：0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能，硅晶体少数载流子体寿命，脉冲功率30w。，为消除陷进效应增加了红外低光照。测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率≥0.5ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.5～0.01ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。范 围：0.5μs~6000μs电 阻 率：ρ﹥0.1ω·cm（非回炉料）测试速度：1分钟/片红外光源波长： 0.904～0.905μm高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30mhz前置放大器，放大倍数约25，频宽2hz-2mhz可测单晶尺寸：断面竖测：直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-200mm测量方式：采用数字示波器直接读数方式测试分辨率：，数字存储示波器，分辨率0.01μs设备重量：20 kg仪器电源：电源电压类型：单相210～230v,50hz,带电源隔离、滤波、稳压，不能与未做保护措施的大功率、高频设备共用电源。
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