PI固化厌氧烘箱，聚酰亚胺固化炉应用事项
pi固化厌氧烘箱，聚酰亚胺固化炉应用机制：
微机电系统(mems)是微电子技术与机械,光 学等领域交叉融合的产物,是在ic工艺技术基础上的延伸和拓展,是微电子技术应用的新突破。牺牲层技术作为mems的关键技术之一,是利用不同材料在同一种腐蚀液(或腐蚀气)中腐蚀速率的差异,选择性地将结构图形与衬底之间的材料(即牺牲层材料)刻蚀掉,进行结构释放,形成空腔上膜或其他悬空结构的一种微加工技术。
与其它光刻胶,金属相比,光敏性pi作为牺牲层材料时有以下一些优点:粘度高,容易制得高厚度的牺牲层;具有较好的流动性,使得牺牲层表面更易于平坦化,有利于制作平整的结构;具有出色的耐热性能,使其更容易与其他mems工艺相兼容;对酸碱稳定,耐腐蚀,且不溶于丙酮、乙醇等多数有机溶剂。因此,光敏聚酰亚胺是牺牲层的优选材料。
pi固化厌氧烘箱，聚酰亚胺固化炉技术参数：
1. 温度范围：rt+50～500℃
2. 腔体尺寸(cm)：w50×d50×h50；可自定
3. 外形尺寸(cm):约173×160×119mm（w×d×h）；
4. 内胆材质：sus304镜面不锈钢；
5. 加热器：特制无尘加热器；
6. 氧含量指标：≤ 50ppm
7. 电源：380v/50hz,三相五线制
8. 控制部分
a. 控制：曲线升温模式；
b. 控温仪表：触摸屏温控仪；
c. 控温段数：多段数，多工艺；
d. 超温报警：独立限温控制；
9.氮气控制：装有双通道可调式氮气流量计，全程通氮气。
10.辅助降温：风冷、水冷
11.厌氧烘箱应用于聚酰亚胺层（pi）固化烘烤.应用聚酰亚胺时需要注意的问题是厚度控制和亚胺化处理。一旦亚胺化处理不当,聚酰亚胺膜层将发生降解和裂纹的现象,使其性能下降。另外,不同的亚胺化方法,所获得聚酰亚胺薄膜材料的性能也不一样,实验中需严格控制亚胺化过程。
12.亚胺化的过程包含二个步骤:图形化后的预亚胺化和*亚胺化。多次实验后采用阶梯升温过程,亚胺化效果*。采用程控烘箱进行亚胺化,烘箱内为纯n2氛围,如果升温速率过快,表面的溶剂和水蒸气急剧挥如果升温速率过快,表面的溶剂和水蒸气急剧挥发,而内部的溶剂和水蒸气却残留在薄膜内,则容易在牺牲层中产生气孔开裂;如果保温时间不够,将使溶剂不能*排除,随后的高温亚胺化过程中同样会产生气泡甚至开裂,就不能形成机械强度良好的亚胺膜.
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与其它光刻胶,金属相比,光敏性pi作为牺牲层材料时有以下一些优点:粘度高,容易制得高厚度的牺牲层;具有较好的流动性,使得牺牲层表面更易于平坦化,有利于制作平整的结构;具有出色的耐热性能,使其更容易与其他mems工艺相兼容;对酸碱稳定,耐腐蚀,且不溶于丙酮、乙醇等多数有机溶剂。因此,光敏聚酰亚胺是牺牲层的优选材料。
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1. 温度范围：rt+50～500℃
2. 腔体尺寸(cm)：w50×d50×h50；可自定
3. 外形尺寸(cm):约173×160×119mm（w×d×h）；
4. 内胆材质：sus304镜面不锈钢；
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8. 控制部分
a. 控制：曲线升温模式；
b. 控温仪表：触摸屏温控仪；
c. 控温段数：多段数，多工艺；
d. 超温报警：独立限温控制；
9.氮气控制：装有双通道可调式氮气流量计，全程通氮气。
10.辅助降温：风冷、水冷
11.厌氧烘箱应用于聚酰亚胺层（pi）固化烘烤.应用聚酰亚胺时需要注意的问题是厚度控制和亚胺化处理。一旦亚胺化处理不当,聚酰亚胺膜层将发生降解和裂纹的现象,使其性能下降。另外,不同的亚胺化方法,所获得聚酰亚胺薄膜材料的性能也不一样,实验中需严格控制亚胺化过程。
12.亚胺化的过程包含二个步骤:图形化后的预亚胺化和*亚胺化。多次实验后采用阶梯升温过程,亚胺化效果*。采用程控烘箱进行亚胺化,烘箱内为纯n2氛围,如果升温速率过快,表面的溶剂和水蒸气急剧挥如果升温速率过快,表面的溶剂和水蒸气急剧挥发,而内部的溶剂和水蒸气却残留在薄膜内,则容易在牺牲层中产生气孔开裂;如果保温时间不够,将使溶剂不能*排除,随后的高温亚胺化过程中同样会产生气泡甚至开裂,就不能形成机械强度良好的亚胺膜.
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