苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
氮化镓(gan)是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与*代半导体硅基的器件相比，gan器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示，gan器件适用于68%的功率器件市场；在功率转换电路中应用gan器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，*提高了能源利用效率；可使笔记本等电源适配器的体积缩小，减小设备体积，提高集成度。
在实际应用中，为实现失效安全的增强模式(e-mode)操作，科研人员广泛研究了基于凹槽栅结构的mis栅、p-ganregrowth栅增强型gan hemt器件。在实际的器件制备过程中，精确控制栅极凹槽刻蚀深度、减小凹槽界面态密度直接影响器件阈值电压均匀性、栅极可靠性，在大规模量产中会直接影响器件的量产良率。
近期，*苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱团队博士研究生苏帅、钟耀宗等在p-gan regrowth器件制备技术、器件可靠性测试分析技术等方面取得进展，制备的器件阈值电压达到~1.7 v@ ids= 10 μa/mm、开关比达5×1010、输出电流400ma/mm以上，器件综合性能优异；在栅极凹槽深度高均匀性的精确控制及减小凹槽界面态密度方面，利用自主创新的mocvd热分解自终止技术手段实现了精确可控的栅极凹槽制备，且凹槽深度均匀性大幅提高，同时栅极界面态密度减小1~2个数量级，达到~1011ev-1·cm-2，有助于高性能mis、pgan栅极增强型器件的研发。
相关成果发表在电子器件领域期刊ieee electron device letters、acs applied materials & interfaces、ieee journal of emerging and selected topics in power electronics，以及第三十二届功率半导体器件和集成电路会议上。主要作者为苏帅、钟耀宗，通讯作者为孙钱、副研究员周宇。研究得到自然科学基金、重点研发计划课题、中科院重点前沿科学研究计划、江苏省重点研发计划项目。
原标题：苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
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