日立内透镜扫描电镜-离子研磨IM4000联用的原理及应用
日立su9000超高分辨冷场发射扫描电镜，达到扫描电镜世界zui高二次电子分辨率0.4nm和stem分辨率0.34nm。日立su9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统，不仅分辨率性能明显提升，而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的flashing操作，可以率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。
内透镜扫描电镜-离子研磨im4000联用样品台
不需把样品从sem截面样品台上取下，直接用离子研磨
不需用导电胶或固定胶固定样品
操作步骤
nand闪存截面观测
上图为nand闪存切割后直接在内透镜扫描电镜su9000下的观测结果，右图为同一区域同一条件下，再经过im4000的氩离子束研磨后的观测结果。研磨前，如箭头所指处，由于堆积了很多其他杂质，以及原貌变形及损伤，可供观测及测量的浮栅的区域十分有限。但经过im4000离子研磨后，样品截面十分平整干净，整个观测区域都可观测到浮栅及sti(shallow trench isolation)。
日立高新超高分辨率场发射扫描电子显微镜su9000
日立高新超高分辨率场发射扫描电子显微镜su9000是专门为电子束敏感样品和需zui大300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。
•新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
•0.4nm / 30kv(se)•1.2nm / 1kv(se)•0.34nm / 30kv(stem)
•用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现率截面观察。
•采用全新设计的super e x b能量过滤技术，，灵活地收集se / bse/ stem信号。
日立高新离子研磨装置im4000
日立高新离子研磨装置im4000具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器!
•日立高新离子研磨装置im4000的混合模式带有两种研磨配置：
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面以下结构高分辨成像。
平面研磨：将样品表面均匀研磨5平方毫米，从不同角度有选择地研磨，以便突出样品的表面特性。
•日立高新离子研磨装置im4000的高通量能提高加工效率：
与之前的e-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间。
zui大加工率：硅元素为300微米/小时 — 加工时间减少了66%。
•日立高新离子研磨装置im4000的可拆卸样品台装置：为便于样品设置和定义研磨边缘，可将样品台装置拆卸。
产品特点
•混合模式：两种研磨配置
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面高分辨观察；
平面研磨：不同角度有选择地，大面积，均匀地研磨5 mm的平面，以突显样品的表面特性；
•：提高加工效率
与之前的e-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间(zui大加工速度：硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)
•可拆卸式样品台：为便于样品设置和边缘研磨，样品台设计为可拆卸型。
关于日立*公司：
日立*公司，于2013年1月，融合了x射线和热分析等核心技术，成立了日立*科学。以“光”“电子线”“x射线”“热”分析为核心技术，精工电子将本公司的全部股份转让给了株式会社日立高新，因此公司变为日立高新的子公司，同时公司名称变更为株式会社日立*科学，扩大了科学计测仪器领域的解决方案。日立*集团产品涵盖半导体制造、生命科学、电子零配件、液晶制造及工业电子材料，产品线更丰富的日立*集团，将继续科学领域的核心技术。
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断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面以下结构高分辨成像。
平面研磨：将样品表面均匀研磨5平方毫米，从不同角度有选择地研磨，以便突出样品的表面特性。
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与之前的e-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间。
zui大加工率：硅元素为300微米/小时 — 加工时间减少了66%。
•日立高新离子研磨装置im4000的可拆卸样品台装置：为便于样品设置和定义研磨边缘，可将样品台装置拆卸。
产品特点
•混合模式：两种研磨配置
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平面研磨：不同角度有选择地，大面积，均匀地研磨5 mm的平面，以突显样品的表面特性；
•：提高加工效率
与之前的e-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间(zui大加工速度：硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)
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日立*公司，于2013年1月，融合了x射线和热分析等核心技术，成立了日立*科学。以“光”“电子线”“x射线”“热”分析为核心技术，精工电子将本公司的全部股份转让给了株式会社日立高新，因此公司变为日立高新的子公司，同时公司名称变更为株式会社日立*科学，扩大了科学计测仪器领域的解决方案。日立*集团产品涵盖半导体制造、生命科学、电子零配件、液晶制造及工业电子材料，产品线更丰富的日立*集团，将继续科学领域的核心技术。
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