等离子体清洗设备去钻污工艺对层间分离缺陷的改善研究
等离子体清洗设备去钻污工艺对层间分离缺陷的改善研究：
随着电子信息产业的持续升级，特别是“互联网+”时代的到来，对印制电路板(pcb)在信号传输上提出了更高的要求，也对pcb加工技术提出了更高的要求。层间分离(icd)是沉铜工艺中的一种常见缺陷，icd缺陷对pcb产品的可靠性有重大影响。
高速材料在的低dk特性在信号传输方面有着的优势，这种特性非常符合5g产品的需求，因此，被越来越多的应用到5g产品上。然而在加工过程中却因为该材料物理化学性质，钻孔之后，孔内多余的胶渣很难被传统化学去钻污方式去除，给产品功能性带来了很大的隐患，需要进一步提升产品的可靠性。
等离子体清洗设备plasma清洗是在真空条件下，利用强电场的电离作用，将cf4和o2的混合气体，通过电场射频功率电离形成第四态的等离子体利用等离子体的物理轰击和化学反应，将环氧树脂残留物转化为具有挥发性的有机氟化物，从而达到去除钻污的效果。等离子体清洗设备不仅拥有的钻污去除能力，还在产品的长期可靠性方面有着很大的优势。
等离子体清洗设备是干法处理，并且是在电场定向作用下完成去钻污的，因此避免了传统的去钻污方式，蓬松剂对孔壁玻纤位置攻击，能够大幅降低玻纤发白和分层异常，对预防caf也有极大的优势。
加工温度影响钻污去除效果。因为plasma加工过程主要是化学变化，在化学反应中，温度是化学，反应的重要影响因子之一，提高温度，可以提升反应的速率，反之，去钻污速率降低。同理，在plasma去钻污的过程中，提高反应温度对于icd有改善作用。
在去钻污的过程中，我们需要得到干净的孔壁表面，用于后制程的加工，孔壁作为等离子体清洗设备加工过程中参与反应的部分，其裸露的面积大小关系去钻污的效果。如果将设备的腔体看作一个整体，在同一恒定的腔体中，孔壁的树脂面积影响着去钻污的咬蚀量。
在plasma加工过程中，功率直接影响着等离子体的产生数量，由电极电离出的等离子体越多，孔壁的去钻污效果也就越好，反之则越少;
我们通过物理学的知识可知，电场电离气体，需要有足够的能量使气体呈现为激发态，而能量在等离子体清洗设备中就表现为加工功率。等离子的加工功率越大，等离子体的电离效果越充分，去钻污的效果也就越好。
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等离子体清洗设备plasma清洗是在真空条件下，利用强电场的电离作用，将cf4和o2的混合气体，通过电场射频功率电离形成第四态的等离子体利用等离子体的物理轰击和化学反应，将环氧树脂残留物转化为具有挥发性的有机氟化物，从而达到去除钻污的效果。等离子体清洗设备不仅拥有的钻污去除能力，还在产品的长期可靠性方面有着很大的优势。
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