ingaas和ge红外探测器的差异
ingaas和ge光电二极管探测器都普遍应用于红外(近红外)波段。newport提供各种可溯源nist的ingaas和ge探测器(例如:低功率校准光电二极管探测器918d和818系列)。这些探测器的参数很相近,除了一些关键部分:如分流电阻和芯片电容。然而,这些差异导致了很大的性能和价格差异。
分流电阻
分流电阻hao是无限大,但是每个光电二极管有一个有限值,产生johnson噪声,这个johnson噪声跟分流电阻成反比。因此,为了小化噪声,需要在测量系统中设计大可能的电阻值。ge和ingaas有所不同,ingaas探测器的分流电阻达到10mΩ量级,而ge探测器的分流电阻在kΩ量级,小了若干个量级。因此,ge探测器会比ingaas探测器呈现出更高的噪声。
有效面积越大越好?
有些厂商的ge探测器有效面积很大,但用户们需注意,更大的有效面积会导致更大的暗电流和更小的分流电阻,越小的分流电阻会引起更高的热噪声,越大的暗电流会引起更高的散粒噪声。ge的暗电流比ingaas的暗电流高很多,大的有效面积可能引入高噪声电流。newport的ge探测器的有效面积为3mm,相比于5mm的二极管,如果其他都相同,3mm二极管的分流电阻值会大3倍,而暗电流则小3倍。
newport 918d/818系列ingaas和ge探测器的参数对比
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