高纯水标准
高纯水标准
中华人民共和国机械行业标准jb／t7621--94电力半导体器件工艺用高纯水机械工业部．1994-12-09批准1995—o6—o1实施1主题内容与通用范围本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。本标准适用于去离子处理后的高纯水。
2引用标准gb11446电子级水及其检测方法
3术语3．1电导率electricalconductivityctricalconduc2ivity在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μs/cm为单位。水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。3．2电阻率resistivity电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3mω.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。3．3颗粒性物质granularsulbstance除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。3．4总有机碳(toc)totalorganiccarbon水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。3．5总固体totalsolid水样蒸发、烘干后残留的固总量。3.6全硅totalsilicon水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。3．7高纯水high-purewater,ultrapurewater电阻率在5mω·cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水3．8原水rawwatcr纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。3．9终端terminal。高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水3．10微量micro-amount试样量在1mg左右。3．11痕量traceamount试样量在1μg左右。3．12百万分之一(ppm)partpermillion重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升水样含杂质的毫克数(mg／l)。3．13十亿分之一(ppb)partperbillion重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／l)。
4高纯水的级别4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号eh和ph标志。4.2电子级高纯水4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：a．具有精细图形结构；b．对器件表面有特殊要求；c．工艺对水质有特定的严格要求。4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和i级。它们的标志分别是：特级电子级高纯水：eh—t一级电子级高纯水：eh—14．3普通高纯水4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。4．3．2普双高纯水分为三个级别：ⅰ级、ⅱ级和ⅲ级。它们的标志分别是：i级普通高纯水：ph—ⅰx级普通高纯水：ph—ⅱm级普通高纯水：ph—ⅲ4.4电阻率低于5mω·cm的水不能称为高纯水。
5技术要求5．1电子级高纯水5．1．1电子级高纯水应考核四项内容：a.水中自由离子浓度(主要影响电阻率)；b．水中悬浮微粒的数量和大小；c.水中有机物总量；d.水中细菌微生物状况。5.1.2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。
表l指 标级别eh—teh-i电阻率，mω·cm(25℃)18(90％时间）最小1716~18(90％时间）最小15大于1μm微粒数.个／ml＜11大于0．5um微被数(值)，个／ml100150细菌个数，个／ml＜11总有机碳含量(值)，μg／l50100全硅(值)，μg／l210氯含量(值)，μg／l0.52钾含量(值)，μg／l0.21钠含量(显大值)μg／l0.21钙含量(值)，μg／l0.51铝含量(值)，μg／l0.51铜含量(值)，μg／l0.11总可溶性固体含量(值)，μg／l310
5．2普通高纯水5．2．1普通高纯水主要考核其电阻率。5．2．2普通高纯水的技术指标由表2给出。表2指 标级 标ph-ⅰph-ⅱph-ⅲ电阻率(25℃)，mω，cm12-158~<125~<8大于lμm的微粒数，个／ml<50总有机碳含量，μg／l<500全硅,μg／l<100
6测试方法和检验规则6．1电阻率测试方法6．1．1用电导率仪测量高纯水电阻率时：a．电导池常数选川0.1—0.01cm-1；b．被测高纯水应处于密封流动状态，避免任何气体混入，流速不低于0．3m/s。6．1．2在t℃时测得的电阻率值ρt，用下式换算成25℃的电阻率ρ25ρ25=1/{αt(1/ρt-gt)+0.05482}式中：ρ25——２５℃时的电阻率ｍω.ｃｍρt——t℃时的电阻率ｍω.ｃｍgt——t℃时理论纯水的电导率μｓ／ｃｍ，其值见附录ａ；αt——t℃时修正系数，其值见附录ａ；0.05482——t℃时理论纯水的电导率μｓ／ｃｍ。６.2其他技术指标测量方法执行ｇｂ１１４４6.5~11446.11中有关规定。6．３检验规则6．3．1各个级别高纯水的电阻率为经常必测项目。6．3．2对电子级高纯水，用水单位还应根据生产要求制定对微粒数、痕量金属、细菌、有机物及二氧化硅等各项技术指标的检验规则。6．3．3制水工艺条件改变时，应及时对表1或表2中各项技术指标全面检验。6．3．4所有测量均应在制水终端和用水点两处测量。制水终端水的质量称为制水水质；用水点水的质量称为用水水质。对普通高纯水，用水水质和制水水质应在同一级别上。对电子级高纯，主要检验用水水质，但应给出制水水质作参考。制水水质还用于检验制水设备和技术。6．4检验标志在高纯水制水终端和用水点按要求进行检验后，若水质合格，应附标有下列内容的检验合格证：a．高纯水的级别标志；b．要求检测的技术指标及测量结果；c.制水单位；d．连续供水开始日期(普通高纯水可无此项)；e．检验员签章及检验日期。
7取样、存贮和运输7.1.高纯水的取样7．1．1盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量成分时。必须使用聚乙烯等塑料容器。7．1．2取样前，盛水容船应预先用洗涤剂清洗干净，再用盐酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48h(分析阴离子用的容器除外)，然后用高纯水冲洗干净，再用高纯水浸泡不少于6h。临取样时，用待测高纯水冲洗容器小少于10次、方可取样。7．1．3采集水样时，应先把管道中的积水放尽，并冲放5—10min，在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。7．1．4取样的体积约为容器体积的0.6—0.8，不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。7．1.5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。7．2高纯水的贮存与运输7．2．1分析高纯水中的阳、阴离子时，采集的水样可存放72h。细菌检验时，水样存放时间不得大于4h。7．2．2高纯水在贮存和运输时，应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。7.2．3高纯水在贮存和运输过程中；应定时记录时间、温度和气候条件等。
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3术语3．1电导率electricalconductivityctricalconduc2ivity在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μs/cm为单位。水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。3．2电阻率resistivity电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3mω.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。3．3颗粒性物质granularsulbstance除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。3．4总有机碳(toc)totalorganiccarbon水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。3．5总固体totalsolid水样蒸发、烘干后残留的固总量。3.6全硅totalsilicon水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。3．7高纯水high-purewater,ultrapurewater电阻率在5mω·cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水3．8原水rawwatcr纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。3．9终端terminal。高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水3．10微量micro-amount试样量在1mg左右。3．11痕量traceamount试样量在1μg左右。3．12百万分之一(ppm)partpermillion重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升水样含杂质的毫克数(mg／l)。3．13十亿分之一(ppb)partperbillion重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／l)。
4高纯水的级别4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号eh和ph标志。4.2电子级高纯水4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：a．具有精细图形结构；b．对器件表面有特殊要求；c．工艺对水质有特定的严格要求。4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和i级。它们的标志分别是：特级电子级高纯水：eh—t一级电子级高纯水：eh—14．3普通高纯水4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。4．3．2普双高纯水分为三个级别：ⅰ级、ⅱ级和ⅲ级。它们的标志分别是：i级普通高纯水：ph—ⅰx级普通高纯水：ph—ⅱm级普通高纯水：ph—ⅲ4.4电阻率低于5mω·cm的水不能称为高纯水。
5技术要求5．1电子级高纯水5．1．1电子级高纯水应考核四项内容：a.水中自由离子浓度(主要影响电阻率)；b．水中悬浮微粒的数量和大小；c.水中有机物总量；d.水中细菌微生物状况。5.1.2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。
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5．2普通高纯水5．2．1普通高纯水主要考核其电阻率。5．2．2普通高纯水的技术指标由表2给出。表2指 标级 标ph-ⅰph-ⅱph-ⅲ电阻率(25℃)，mω，cm12-158~<125~<8大于lμm的微粒数，个／ml<50总有机碳含量，μg／l<500全硅,μg／l<100
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7取样、存贮和运输7.1.高纯水的取样7．1．1盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量成分时。必须使用聚乙烯等塑料容器。7．1．2取样前，盛水容船应预先用洗涤剂清洗干净，再用盐酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48h(分析阴离子用的容器除外)，然后用高纯水冲洗干净，再用高纯水浸泡不少于6h。临取样时，用待测高纯水冲洗容器小少于10次、方可取样。7．1．3采集水样时，应先把管道中的积水放尽，并冲放5—10min，在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。7．1．4取样的体积约为容器体积的0.6—0.8，不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。7．1.5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。7．2高纯水的贮存与运输7．2．1分析高纯水中的阳、阴离子时，采集的水样可存放72h。细菌检验时，水样存放时间不得大于4h。7．2．2高纯水在贮存和运输时，应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。7.2．3高纯水在贮存和运输过程中；应定时记录时间、温度和气候条件等。
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