hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀
在高压、大功率器件及集成电路中,铝布线要求能够承受高压、大电流,在恶劣的环境下具备良好的可靠性,因此需要一定厚度的铝.
沈阳某研究所采用伯东hakuto离子蚀刻机7.5ibe用于芯片制造中厚铝刻蚀.
hakuto离子蚀刻机7.5ibe技术规格:
真空腔
1 set,主体不锈钢,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”ϕ stage,直接冷却,
离子源
ϕ 8cm考夫曼离子源kdc75
离子束入射角
0 degree～± 90 degree
极限真空
≦1x10-4 pa
刻蚀性能
一致性: ≤±5% across 4”
该hakuto离子刻蚀机7.5ibe的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 75
伯东美国kri考夫曼离子源kdc75技术参数：
离子源型号
离子源kdc 75
discharge
dc热离子
离子束流
>250 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
7.5 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-15 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
20.1 cm
直径
14 cm
中和器
灯丝
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