欧科变频器采用独立的风道设计和多重风扇控制方式,优化了内部结构及端子接线方式,应用多种精密集成元器件,有效控制了自身的能耗比和发热量,允许的zui高环境温度可达45℃。
欧科变频器铁过机现场实测的平均温度在28.5℃
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变频器的主要发热部位也就是整流及逆变部分。整流一般采用三相桥式整流电路,由于是工频工作,对整流模块的开关频率没有太高的要求,选择压降小的整流模块可降低这一部分的温升。在变频器工作时,作为完成功率变换及输出的执行器件,逆变模块产生的热量是非常大的。
目前主流变频器的逆变模块一般采用igbt模块(insulated gate bipolartransistor绝缘栅双极型晶体管),igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,因此,可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,igbt作为电压型控制器件,具有输入阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点,
因而在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。一般情况下流过igbt电流较大,开关频率较高,故而器件的损耗也比较大,如果热量不能及时散掉,使得器件的结温tj超过tjmax,则igbt可能损坏。igbt模块的芯片zui大额定结温tjmax是150℃,在任何工作条件下,都不允许超过,否则要发生热击穿而造成损坏,一般要留余地,在zui恶劣条件下,结温tj限定在125℃以下,但芯片内结温监测有难度,所以变频器的igbt模块,都在散热器表面装有温控开关,其值在80~85℃之间。当达到此温度时,即因过热保护动作,从而自动停机,以确保igbt的安全。也有用热敏电阻进行保护的。igbt的损耗不仅与工作电流大小有关,更重要的是与变频器的载波频率密切相关。当pwm信号频率>5khz时开关损耗会非常显著,温升会明显增加。igbt的功耗包括稳态功耗和动态功耗,其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。
其他如半导体器件与导体的连接处、母线(排)、浪涌吸收器与主电路的电阻原件等也在变频器工作时产生热量,其温升极限值在国家标准中也做出相应规定。
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