新型涂层技术的开发与应用
离子镀覆或等离子cvd工艺，作为干式涂层技术，不仅在工具和模具行业普遍采用，在机械零件或装饰品等方面应用也很广泛，因此，这种工艺在涂层市场占有相当大的份额。为了开拓新的市场，必须突破现有涂层工艺的框架，开发新的涂层技术。
现有涂层工艺的状况是，与配置于真空容器内的待涂层工件相比，所生成的等离子范围较狭小，为了使镀膜均匀和处理批量增大，涂层装置内必须增设使待处理件自转和公转的机构，以便在工件外表面覆盖上镀膜。但仅靠对工件的夹持和使之回转，不可能在工件内表面和深凹的沟槽等部位获得均匀的牢固粘附的镀膜。另外，为了使离子注入以改变工件材料表面性质，同时又不致产生剥落现象，这种装置的价格十分昂贵，一般企业难以购置。
如果待处理品为三维形状工件，更必须让其在真空中作三维式回转。由此可见，涂层技术在降低生产成本和扩大处理批量方面，尚有许多问题亟待解决。
针对涂层工艺存在的上述问题，1986年美国威斯康辛大学开发了一种新技术，即将被处理物体置于等离子环境中，外加高电压脉冲，从而可在三维形状物体表面注入离子。此项技术的全称是plasmasourceionimplantation，简称psii技术。
1993年9月，在日本金泽市召开的smmid93会议上，由jrconrad博士发表特别讲演，将该项技术介绍到日本。随后，日本也进行了有关psii的研究，并提出了多篇研究报告。
从1998～2000年，日本组织产业界、高等院校和研究机关通力合作，经过三年反复试验研究，终于在psii基础上开发出一种全新的涂层技术，即hybridpulseplasmacoating系统，简称hppc技术。
hppc技术的特点
psii技术是在被加工物体处于静止状态（无自转和公转）时，在其三维复杂形状的表面注入离子，从而达到改善表面物质性能的效果。psii技术的原理是：对置于等离子环境中的物体外加负值高电压，以在物体附近形成无电子包层，通过该包层外加高电压，使等离子端部的离子被垂直注入于物体表面。
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如果待处理品为三维形状工件，更必须让其在真空中作三维式回转。由此可见，涂层技术在降低生产成本和扩大处理批量方面，尚有许多问题亟待解决。
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