日本napson手持式探针的手动无损（涡流法）电阻测量仪EC-80P
日本napson手持式探针的手动无损（涡流法）电阻测量仪ec-80p
产品特点只需触摸手持式探头即可测量电阻。在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换使用jog拨盘轻松设置测量条件连接到连接器的可替换电阻测量探头可支持多种电阻（电阻探头：多可以使用2 + pn判断探头）测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的进样样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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其他（*请与我们联系）
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（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
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（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
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